F.Honma, J.Murota, K.Goto, T.Maeda, and Y.Sawada: ""Ultrashallow junction formation using low-temperature selective Si_<1-x>Ge_x chemical vapor deposition"" Japanese Journal of Applied Physics. Vol. 33, Part 1, No. 4B (in press). (1944)
F.Honma, J.Murota, K.Goto, T.Maeda, and Y.Sawada: ""Ultrashallow junction formation using low-temperature selective Si_<1-x>Ge_x chemical vapor deposition"" Japanese Journal of Applied Physics. Vol. 33, Part 1, No. 4B (in press). (1944)
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F.Honma、J.Murota、K.Goto、T.Maeda 和 Y.Sawada：“使用低温选择性 Si_<1-x>Ge_x 化学气相沉积形成超浅结”，《日本应用物理学杂志》。
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