Monte Carlo study of coupled SO phonon-plasmon scattering in Si MOSFETs with high k dielectric gate stacks: hot electron and disorder effects
Monte Carlo study of coupled SO phonon-plasmon scattering in Si MOSFETs with high k dielectric gate stacks: hot electron and disorder effects
复制标题
具有高 k 介电栅堆叠的 Si MOSFET 中耦合 SO 声子-等离子体散射的蒙特卡罗研究：热电子和无序效应
DOI：
--
复制
发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
A. Asenov
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Barker;Watling;A. Brown;Scott Roy;P. Zeitzoff;G. Bersuker;A. Asenov
