レーザーアニールを用いたSi上Ge pinフォトダイオードの高性能化
レーザーアニールを用いたSi上Ge pinフォトダイオードの高性能化
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使用激光退火提高 Si 上的 Ge pin 光电二极管的性能
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
石川靖彦
中科院分区：
文献类型：
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作者：
永友翔;川俣勇太;石川靖彦
