Voltage-Induced Nonvolatile Change of Magnetic Anisotropy of CoFeB Ultrathin Films Stacked With Multivalent Oxides

Voltage-Induced Nonvolatile Change of Magnetic Anisotropy of CoFeB Ultrathin Films Stacked With Multivalent Oxides
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多价氧化物堆叠CoFeB超薄膜磁各向异性的电压诱导非易失性变化

DOI：
10.1149/05805.0127ecst
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发表时间：
2013
期刊：
ECS Transactions
影响因子：
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通讯作者：
Jiro Koba and Koji Kita
Jiro Koba and Koji Kita
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
H. Kozuka;T. Fukui;A. Yamano;H. Uchiyama and M.Takahashi;Jiro Koba and Koji Kita

文献摘要

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用TiOx/CoFeB/Ta堆叠证明了电压诱导磁各向异性的非易失性控制。我们观察到TiOx/CoFeB界面各向异性能量的非挥发性变化，这可能是由超薄TiOx层中带正电的氧空位运动引起的。我们的研究结果表明，这种现象可能应用于一种新型的非易失性存储器。
Voltage-induced nonvolatile control of magnetic anisotropy was demonstrated with TiOx/CoFeB/Ta stacks. We observed a nonvolatile change of interface anisotropy energy at TiOx/CoFeB, probably caused by a motion of positively-charged oxygen vacancies in ultrathin TiOx layer. Our results indicate a possible application of this phenomenon to a new type of nonvolatile memories.