质子辐照下4T CMOS图像传感器满阱容量退化模拟研究
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DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
焦仟丽
中科院分区：
文献类型：
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作者：
杨勰;王祖军;尚爱国;霍勇刚;薛院院;贾同轩;焦仟丽
