Highelectron mobilityInSbfilms grown on Si(111) substrate Inand2x2-In surface reconstruction
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在 Si(111) 衬底 Inand2x2-In 表面重建上生长的高电子迁移率 InSb 薄膜
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K.Naka vama. M.Mori. K.Maezawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S.Khamseh;K.Nakatani;K.Naka vama. M.Mori. K.Maezawa
