Resonant Tunneling Diodes with Highly Strained Heterostructures of Si/Si1-xGex Epitaxially Grown on Si(100)
Resonant Tunneling Diodes with Highly Strained Heterostructures of Si/Si1-xGex Epitaxially Grown on Si(100)
复制标题
具有在 Si(100) 上外延生长的 Si/Si1-xGex 高应变异质结构的谐振隧道二极管
DOI：
--
复制
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
J. Murota
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M. Sakuraba;J. Murota
