Hole channel formation mechanism in AlN/diamond heterojunction and high-k oxide gate diamond FETs
Hole channel formation mechanism in AlN/diamond heterojunction and high-k oxide gate diamond FETs
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AlN/金刚石异质结和高 k 氧化物栅极金刚石 FET 中的空穴沟道形成机制
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Y. Ikuhara
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Koide;M. Imura;J. W. Liu;M. Y. Liao;R. G. Banal;T. Matsumoto;N. Shibata;and Y. Ikuhara
