Anisotropic chemical dry silicon wafer etching using F2 + NO  F + FNO reaction
Anisotropic chemical dry silicon wafer etching using F2 + NO  F + FNO reaction
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使用 F2 NO 的各向异性化学干法硅片蚀刻
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Hori
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Tajima;T. Hayashi;K. Yamakawa;M. Sasaki;K. Ishikawa;M. Sekine;M. Hori
