Midwave infrared InSb nBn photodetector
Midwave infrared InSb nBn photodetector
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DOI：
10.1049/el.2014.2799
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发表时间：
2014-09
影响因子：
1.1
通讯作者：
A. Evirgen;J. Abautret;J. P. Perez;A. Cordat;A. Nedelcu;P. Christol
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Evirgen;J. Abautret;J. P. Perez;A. Cordat;A. Nedelcu;P. Christol
报道了采用 n B n 设计的 InSb 光电探测器的首次演示。采用分子束外延(MBE)技术在InSb衬底上生长n B n结构，以n型InSb作为吸收层，InAlSb合金作为势垒层。 n B n 探测器在光伏模式下在 77 K 下显示出 5.4 μm 的截止波长，在 -50 mV 反向偏压下表现出低至 10 -9 A/cm 2 的暗电流密度，比通常的 InSb 光电二极管低至少二十个百分点。
The first demonstration of InSb photodetector with n B n design is reported. The n B n structure, grown by molecular beam epitaxy (MBE) on InSb substrate, is built by using n -type InSb as absorber layer and InAlSb alloy as barrier layer. The n B n detector, showing cut-off wavelength of 5.4 μm at 77 K in photovoltaic mode, exhibits dark current density as low as 10 -9 A/cm 2 at -50 mV reverse bias, at least two decades lower than usual InSb photodiode.