Development of α-Ga2O3-based high power devices
Development of α-Ga2O3-based high power devices
复制标题
α-Ga2O3基高功率器件的开发
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Toshiyuki Kawaharamura,
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Giang T. Dang;Toshiyuki Kawaharamura,
