Interaction between 2D Electrons and 3D Metal-Insulator Transitions in VO2-Channel Transistors.
Interaction between 2D Electrons and 3D Metal-Insulator Transitions in VO2-Channel Transistors.
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VO2 通道晶体管中 2D 电子与 3D 金属绝缘体跃迁之间的相互作用。
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Takeaki Yajima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Yajima;T. Nishimura;A. Toriumi;T. Yajima;T. Yajima;T. Yajima;T. Yajima;T. Yajima;Takeaki Yajima
