K. Okabe, H. Matsumoto, K. Tsubouchi and N. Mikoshiba: ""Temperature rise in SOI MOS Devices" (II)" Extended Abstracts (The 35th Spring Meeting, 1988) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies. 29p-ZD-11.
K. Okabe, H. Matsumoto, K. Tsubouchi and N. Mikoshiba: ""Temperature rise in SOI MOS Devices" (II)" Extended Abstracts (The 35th Spring Meeting, 1988) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies. 29p-ZD-11.
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K. Okabe、H. Matsumoto、K. Tsubouchi 和 N. Mikoshiba：“SOI MOS 器件中的温度升高（II）”扩展摘要（第 35 届春季会议，1988 年）；
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