Growth of thick AlN layer on sapphire (0001) substrate using hydride vapor phase epitaxy
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使用氢化物气相外延在蓝宝石 (0001) 衬底上生长厚 AlN 层
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A.Koukitu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Yamane;H.Murakami;Y.Kangawa;Y.Kumagai;A.Koukitu
