Growth of strain relaxed Si1-yCy on Si buffer layer by gas-source MBE
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DOI：
10.1016/j.tsf.2005.08.386
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发表时间：
2006-06
期刊：
影响因子：
2.1
通讯作者：
H. Ishihara;M. Murano;T. Watahiki;A. Yamada;M. Konagai;Yoshio Nakamura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Ishihara;M. Murano;T. Watahiki;A. Yamada;M. Konagai;Yoshio Nakamura
