InGaAs Gunn oscillators
InGaAs Gunn oscillators
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InGaAs 耿氏振荡器
DOI：
10.1049/el:19840349
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发表时间：
1984
影响因子：
1.1
通讯作者：
A. Schlachetzki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
W. Kowalsky;A. Schlachetzki
用与InP相匹配的三元InGaAs晶格外延层制成的Gunn振荡器进行了测量。选择域模式操作。第一个结果证明了该合金在高效Gunn器件中的潜力。
Measurements with Gunn oscillators made from epitaxial layers of the ternary InGaAs lattice matched to InP are reported. Operation in the domain mode was chosen. First results are given demonstrating the potential of this alloy for high-efficiency Gunn devices.