T.Shimatani: "New Electrically Thinned Intrinsic-Channel SOI MOSFET with 0.01μm Channel Length" Japanese Journal of Applied Physics. 36. 1659-1662 (1997)
T.Shimatani: "New Electrically Thinned Intrinsic-Channel SOI MOSFET with 0.01μm Channel Length" Japanese Journal of Applied Physics. 36. 1659-1662 (1997)
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T. Shimatani：“沟道长度为 0.01μm 的新型电薄本征沟道 SOI MOSFET”《日本应用物理学杂志》36. 1659-1662 (1997)
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