M.Tabuchi,S.Noda,A,Sasaki: "Strain energy and critical thickness of heteroepitaxial InGaAs layers on GaAs substrate" J.Crystal Growth. 115. 169-173 (1991)
M.Tabuchi,S.Noda,A,Sasaki: "Strain energy and critical thickness of heteroepitaxial InGaAs layers on GaAs substrate" J.Crystal Growth. 115. 169-173 (1991)
复制标题
M.Tabuchi、S.Noda、A、Sasaki：“GaAs 衬底上异质外延 InGaAs 层的应变能和临界厚度”J.Crystal Growth。
DOI：
--
复制
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
