Selective area molecular beam epitaxy of InAs on GaAs (110) masked substrates for direct fabrication of planar nanowire field-effect transistors
Selective area molecular beam epitaxy of InAs on GaAs (110) masked substrates for direct fabrication of planar nanowire field-effect transistors
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在 GaAs (110) 掩模衬底上选择性区域分子束外延 InAs，用于直接制造平面纳米线场效应晶体管
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2012.02.009
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S.Yamada
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M.Akabori;T.Murakami;S.Yamada
