Low-temperature formation of high-mobility InGaZnOx thin film transistor by ICP-enhanced reactive plasma processes
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通过 ICP 增强反应等离子体工艺低温形成高迁移率 InGaZnOx 薄膜晶体管
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Akinori Ebe
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yuichi Setsuhara;Kosuke Takenaka;Masashi Endo;Tomoki Yoshitani;Giichiro Uchida;Akinori Ebe
