"MoS2 FETにおけるゲート容量の理解", グラフェンから広がる二次元物質の新技術と応用,
"MoS2 FETにおけるゲート容量の理解", グラフェンから広がる二次元物質の新技術と応用,
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《理解MoS2 FET中的栅极电容》，从石墨烯开始的二维材料新技术与应用，
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
長汐晃輔,
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Takehiro Kume;Hirokazu Hashizume;Kentarou Hiraguri;Yusuke Matsuzawa;Yoichi Imamura;Hiroaki Miyashita;Takahiro Saito;Gota Yamaguchi;Yoko Takeo;Yasunori Senba;Hikaru Kishimoto;Haruhiko Ohashi;Hidekazu Mimura;長汐晃輔,;三村秀和;長汐晃輔,
