Advanced 3D-CMOS-Device Benchmark and Sputtered-MoS2 2D-FET Operation
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复制标题
先进的 3D-CMOS 器件基准和溅射 MoS2 2D-FET 操作
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Hitoshi Wakabayashi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
山岸 朋彦;堀 敦;宗田 伊理也;角嶋 邦之;筒井 一生;若林 整;五十里洋行;Hitoshi Wakabayashi;Hitoshi Wakabayashi;Hitoshi Wakabayashi;Hitoshi Wakabayashi;若林整;Hitoshi Wakabayashi;Hitoshi Wakabayashi
