Yasuo Koide: "Initial Stage of Growth of Ge on(100)Si by Gas Source Molecular Beam Epitaxy Using GeH_4" Japanese Journal of Applied Physics. 28. L690-L693 (1989)
Yasuo Koide: "Initial Stage of Growth of Ge on(100)Si by Gas Source Molecular Beam Epitaxy Using GeH_4" Japanese Journal of Applied Physics. 28. L690-L693 (1989)
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Yasuo Koide：“使用 GeH_4 通过气源分子束外延在 (100)Si 上生长 Ge 的初始阶段”日本应用物理学杂志。
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