Growth of single crystal GaN substrate using hydride vapor phase epitaxy
Growth of single crystal GaN substrate using hydride vapor phase epitaxy
复制标题
利用氢化物气相外延生长单晶 GaN 衬底
DOI：
10.1016/0022-0248(90)90548-y
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发表时间：
1990
影响因子：
1.8
通讯作者：
I. Akasaki
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
K. Naniwae;S. Itoh;H. Amano;K. Itoh;K. Hiramatsu;I. Akasaki
影响因子：
1.8
作者：
KARPINSKI, J;JUN, J;POROWSKI, S
通讯作者：
POROWSKI, S