GaN HEMT のGaN トラップ位置が低周波Y パラメータに与える影響（デバイスシミュレーションによる検討）
GaN HEMT のGaN トラップ位置が低周波Y パラメータに与える影響（デバイスシミュレーションによる検討）
复制标题
GaN HEMT中GaN陷阱位置对低频Y参数的影响（通过器件模拟研究）
DOI：
--
复制
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
山中 宏治
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
諸隈 奨吾;大石 敏之;大塚 友絢;山口 裕太郎;津留 正臣;山中 宏治
