Contact properties of MnAs/InAs grown on GaAs(111)B by molecular beam epitaxy

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分子束外延在 GaAs(111)B 上生长 MnAs/InAs 的接触特性

DOI:
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发表时间:
2015
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
M. Akabori
M. Akabori
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
Md. E. Islam;C. T. Nguyen;M. Akabori

文献摘要

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