Reactive ion etching of GaAs using BCl3
Reactive ion etching of GaAs using BCl3
复制标题
使用 BCl3 对 GaAs 进行反应离子蚀刻
DOI：
--
复制
发表时间：
1984
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
J. Ballantyne
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
G. Sonek;J. Ballantyne
本文研究了在BCl_3等离子体放电条件下反应离子刻蚀GaAs。蚀刻速率已被表征为压力（10-25 mTorr）、功率密度（0.05-0.5W/cm 2）和Cl 2/BCl 3气体组成的函数。已经获得了12-20 nm/min的速率，并且显著低于其他氯化等离子体。蚀刻轮廓表现出高度的各向异性和光滑的表面形态。
The reactive ion etching of GaAs has been investigated in BCl3 plasma discharges. Etching rates have been characterized as functions of pressure (10–25 mTorr), power density (∼0.05–0.5W/cm2), and Cl2/BCl3 gas compositions. Rates of ∼12–20 nm/min have been obtained, and are significantly lower than for other chlorinated plasmas. Etching profiles exhibit a high degree of anisotropy and smooth surface morphologies.