Quantitative Evaluation of Interface Traps in a Nanometer-Thick SiGe/Si Heterostructure in Hetero MOS Devices

Quantitative Evaluation of Interface Traps in a Nanometer-Thick SiGe/Si Heterostructure in Hetero MOS Devices
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异质 MOS 器件中纳米厚 SiGe/Si 异质结构中界面陷阱的定量评估

DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2006)
影响因子：
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通讯作者：
Junichi Murota
Junichi Murota
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
Toshiaki Tsuchiya;Masao Sakuraba;Junichi Murota

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