Formation process of 3C-SiC on 6H-SiC (0001) by low-temperature solution growth in Si-Sc-C system
Formation process of 3C-SiC on 6H-SiC (0001) by low-temperature solution growth in Si-Sc-C system
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Si-Sc-C体系中低温溶液生长在6H-SiC（0001）上3C-SiC的形成过程
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2011.09.004
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发表时间：
2011
影响因子：
1.8
通讯作者：
Y.Takeda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K.Seki;Alexander;S.Kozawa;T.Ujihara;P.Chaudouet;D.Chaussende;Y.Takeda
