Study on breakdown field in Fe-doped semi-insulating GaN substrates
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复制标题
Fe掺杂半绝缘GaN衬底击穿场研究
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and M. Kuzuhara
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Aoai;K. Suzuki;J. T. Asubar;H. Tokuda;N. Okada;K. Tadatomo;and M. Kuzuhara
