Theoretical study of the band offset at silicon-oxide/silicon interfaces with interfacial defects
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DOI：
10.1016/s0039-6028(98)00157-5
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发表时间：
1998-06
期刊：
影响因子：
1.9
通讯作者：
H. Kageshima;K. Shiraishi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Kageshima;K. Shiraishi
