Temperature-Dependent Carrier Tunnelling for Self-Assembled InAs/GaAs Quantum Dots Using GaAsN Quantum well Injector
Temperature-Dependent Carrier Tunnelling for Self-Assembled InAs/GaAs Quantum Dots Using GaAsN Quantum well Injector
复制标题
使用 GaAsN 量子阱注入器实现自组装 InAs/GaAs 量子点的温度相关载流子隧道
DOI：
--
复制
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
O.Wada
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
C.Y.Jin;S.Ohta;M.Hopkinson;O.Kojima;T.Kita;O.Wada
