SiO_2/SiC界面へのリンの導入による高チャネル移動度4H-SiC MOSFETの作製
SiO_2/SiC界面へのリンの導入による高チャネル移動度4H-SiC MOSFETの作製
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SiO_2/SiC界面引入磷制备高沟道迁移率4H-SiC MOSFET
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
岡本大
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Tanaka;S.;Kato;R.;Hanakawa;T.;Ikeda;H.;Kasahara;K.;Hosoda;C.;Mori;M.;Honda;M.;Watanabe;K.;岡本大;岡本大
