Novel Quaternary A1InGaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistors on Sapphire Substrate
Novel Quaternary A1InGaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistors on Sapphire Substrate
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蓝宝石衬底上新型四元 A1InGaN/GaN 异质结构场效应晶体管
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H.Ishikawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y.Liu;T.Egawa H.Jiang;B.Zhang;H.Ishikawa
