Electronic State of CeFe_4As_<12> Investigated by Using Single Crystals Grown under High Pressure of 4 Gpa
Electronic State of CeFe_4As_<12> Investigated by Using Single Crystals Grown under High Pressure of 4 Gpa
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利用4 Gpa高压下生长的单晶研究CeFe_4As_<12>的电子态
DOI：
10.7566/jpsj.83.034710
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Z. Hiroi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Ogawa;H. Sato;M. Watanabe;T. Namiki;S. Tatsuoka;R. Higashinaka;Y. Aoki;K. Kuwahara;J. Yamaura;Z. Hiroi
