硬X線光電子分光法を用いたInGaN系窒化物半導体の表面ーバルク電子状態評価
硬X線光電子分光法を用いたInGaN系窒化物半導体の表面ーバルク電子状態評価
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使用硬 X 射线光电子能谱评估 InGaN 基氮化物半导体的表面电子态
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
名西やすし
中科院分区：
文献类型：
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作者：
井村将隆;小出康夫;荒木努;名西やすし
