Si Nanodot Device Fabricated by Thermal Oxidation and Their Applications
Si Nanodot Device Fabricated by Thermal Oxidation and Their Applications
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热氧化法制备硅纳米点器件及其应用
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
J.-B.Choi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y.Takahashi;M.Jo;T.Kaizawa;Y.Kato;M.Arita;A.Fujiwara;Y.Ono;H.Inokawa;J.-B.Choi
