Similarities of butter-related lag phencaeia and current stamp between Gan MESFETs and AlGaNiGan HEMTs

Similarities of butter-related lag phencaeia and current stamp between Gan MESFETs and AlGaNiGan HEMTs
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Gan MESFET 和 AlGaNiGan HEMT 之间与黄油相关的滞后现象和电流标记的相似性

DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
Proceedings of the 3rd Asia-Pacific workshop on Widogap Semiconductors
影响因子：
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通讯作者：
A.Nakajima
A.Nakajima
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
K.Horio;H.Takayanagi;K.Itagaki;A.Nakajima

文献摘要

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