Erratum for 'DC-35 GHz low-loss MMIC switch using 50 nm gate-length MHEMT technology for ultra-low-power applications'
Erratum for 'DC-35 GHz low-loss MMIC switch using 50 nm gate-length MHEMT technology for ultra-low-power applications'
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“使用 50 nm 门长 MHEMT 技术实现超低功耗应用的 DC-35 GHz 低损耗 MMIC 开关”的勘误表
DOI：
10.1049/el.2009.1741
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发表时间：
2009
影响因子：
1.1
通讯作者：
Hwang C
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Hwang C
