Sputtering yield as a function of incident ion energy and angle in wurtzite-type GaN crystal
Sputtering yield as a function of incident ion energy and angle in wurtzite-type GaN crystal
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纤锌矿型 GaN 晶体中溅射产率与入射离子能量和角度的关系
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Kenji HARAFUJI and Katsuyuki KAWAMURA
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Makoto Minase;Mitsuji Kondo;Masanobu Onikata and Katsuyuki KAWAMURA;Kenji HARAFUJI and Katsuyuki KAWAMURA
