Effects of straggling of incident ions on plasma-induced damage creation in "fin"-type field-effect transistors
Effects of straggling of incident ions on plasma-induced damage creation in "fin"-type field-effect transistors
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入射离子的散乱对“鳍”型场效应晶体管中等离子体引起的损伤产生的影响
DOI：
10.7567/jjap.53.03de02
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Ono
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Eriguchi;A. Matsuda;Y. Takao;K. Ono
