A low phase noise 2.0 V 900 MHz CMOS voltage controlled ring oscillator
A low phase noise 2.0 V 900 MHz CMOS voltage controlled ring oscillator
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低相位噪声 2.0 V 900 MHz CMOS 压控环形振荡器
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S. Kiaei
中科院分区：
文献类型：
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作者：
D. Badillo;S. Kiaei
提出了一种具有正交输出的CMOS压控环形振荡器。该电路采用0.18 /spl mu/m CMOS工艺设计，工作在2.0 V电源电压下。VCO的调谐范围为650 MHz至1.04 GHz。在913 MHz时，VCO的相位噪声为-116.55 dBc/Hz，频率偏移为600 KHz。在913 MHz处的平均功耗为18.95 mW。
A CMOS voltage controlled ring oscillator with quadrature output is presented. The circuit is designed in a 0.18 /spl mu/m CMOS process and operates on a 2.0 V supply. The VCO has a tuning range of 650 MHz to 1.04 GHz. At 913 MHz the VCO has a phase noise of -116.55 dBc/Hz at a frequency offset of 600 KHz. The average power consumed at 913 MHz is 18.95 mW.