SELECTIVE GaN GROWTH ON AMORPHOUS LAYER BY COMBINED EPITAXY WITH MBE AND MOCVD
SELECTIVE GaN GROWTH ON AMORPHOUS LAYER BY COMBINED EPITAXY WITH MBE AND MOCVD
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通过结合 MBE 和 MOCVD 外延在非晶层上选择性生长 GaN
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Hiroshi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Si-Young Bae;Jung-Wook Min;Byung Oh Jung;Kaddour Lekhal;Dong-Seon Lee;Yong-Tak Lee;Yoshio Honda;and Hiroshi
