GaN based transistors for high temperature applications
GaN based transistors for high temperature applications
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适用于高温应用的 GaN 晶体管
DOI：
10.1016/s0921-5107(96)01935-6
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发表时间：
1997
影响因子：
3.6
通讯作者：
M. Shur
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Khan;M. Shur
