Interface structure effects on optical property of undoped ZnSe/BeTe type-II quantum wells
Interface structure effects on optical property of undoped ZnSe/BeTe type-II quantum wells
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界面结构对未掺杂ZnSe/BeTe II型量子阱光学性质的影响
DOI：
10.7498/aps.59.7986
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发表时间：
2010-11
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Xu Xian-Gang
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Zheng Yu-Jun;Lu Yun;Ji Zi-Wu;Xu Xian-Gang
报告了在低温（5—10 K）下对具有特殊界面结构的未掺杂ZnSe/BeTe II 型量子阱进行的空间间接光致发光（PL）光谱测量的结果。 PL 光谱有两个主峰，表明
The results are reported of the spatially indirect photoluminescence (PL) spectrum measurements performed on undoped ZnSe/BeTe type-Ⅱ quantum wells with special interface structures at low temperatures (5—10 K). The PL spectra have two main peaks that sho