Sublimation of Cadmium Telluride and Cadmium Selenide under a Vapour Pressure of one of their Components and the Equilibrium Form of Crystal Growth
Sublimation of Cadmium Telluride and Cadmium Selenide under a Vapour Pressure of one of their Components and the Equilibrium Form of Crystal Growth
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碲化镉和硒化镉在其一种组分的蒸气压下的升华和晶体生长的平衡形式
DOI：
10.1002/pssb.19650090118
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发表时间：
1965
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Č. Koňák
中科院分区：
文献类型：
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作者：
P. Höschl;Č. Koňák
本文研究了二元化合物AIIBIV的升华速度V（g · s-1 · cm-2）与其中一个组分p的蒸气压的关系。为此，扩展了元素升华动力学理论，包括扩散输运机制。导出了关系式V（p）−3。本文介绍了一种在组分A的蒸气压下加热二元化合物AB的小晶体和大晶体的混合物生长单晶的方法，并证明了这种方法的合理性。本文从广义的Cuppson-Gibbs关系式出发，导出了晶体生长点汽相过饱和度α的关系式α = exp（4v_0 σ_i/kTsr_1）。平衡生长的单晶体，使人们有可能确定的GI平面的碲化镉和硒化镉。
这使得升华法的绝对值V（g · s-1 · cm-2）二进制AIIBIV-Vebindungen从一个较低的分量（p）中分离出来。这两个步骤将使元素升华动力学和扩散输运机制变得特别。这是V型<$（p）−3的一个分支。一种方法，以Zuchtung从Einkristallen通过Erhitzen一个Mischung从kleinen和grosen Kristalliten二进制AB-Verbindungen unter dem Dampfdruck dem Komponente A wird beschrieben and begrundet。在Kristallbildung附近的阻尼相的超饱和度α，通过Sponsson-Gibbs-Gleichung方法的验证，可得到α = exp（4 v0 σi/kTsr 1）。这是对碲化镉和硒化镉的镓-Flachen测定的一种新方法。
The dependence of the sublimation velocity V (g · s−1 · cm−2) of binary compounds AIIBIV on the vapour pressure of one of their components p is investigated. For this purpose extensions are made to the theory of the kinetics of element sublimation including the mechanism of diffusion transport. The relationship V ∼ (p)−3 is derived. A method for growing single crystals by heating a mixture of small and large crystals of binary compounds AB under a vapour pressure of the component A is described and justified. The relationship α = exp (4 v0 σi/k Tsr1) is derived for the supersaturation (α) of the vapour phase at the crystal growth site by a generalization of the Thompson-Gibbs relation. Equilibrium growth of single crystals has made it possible to determine the GI planes of cadmium telluride and selenide.
Es wurde die Abhangigkeit der Sublimationsgeschwindigkeit V (g · s−1 · cm−2) binarer AIIBIV-Verbindungen von dem Dampfdruck einer ihrer Komponenten (p) untersucht. Zu diesem Zweck wurden die Sublimations-Kinetik der Elemente und der Diffusions-Transport-Mechanismus extrapoliert. Es wurde eine Beziehung der Form V ∼ (p)−3 abgeleitet. Eine Methode zur Zuchtung von Einkristallen durch Erhitzen einer Mischung von kleinen und grosen Kristalliten binarer AB-Verbindungen unter dem Dampfdruck der Komponente A wird beschrieben und begrundet. Fur die Ubersattigung α der Dampfphase am Ort der Kristallbildung wird die Beziehung α = exp (4 v0 σi/k Tsr1) durch Verallgemeinerung der Thompson-Gibbs-Gleichung abgeleitet. Das Gleichgewichtswachstum ermoglicht die Bestimmung von GI-Flachen an Kadmiumtellurid und Kadmiumselenid.