Stress-enhancement in free-standing Si pillars through nonequilibrium dehydrogenation in SiN:H stress-liners by ultraviolet light irradiation
Stress-enhancement in free-standing Si pillars through nonequilibrium dehydrogenation in SiN:H stress-liners by ultraviolet light irradiation
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通过紫外光照射在 SiN:H 应力衬里中进行非平衡脱氢，从而增强独立式硅柱的应力
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M.Miyao
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Tanaka;T.Sadoh;M.Kurosawa;M.Tanaka;M.Yamaguchi;S.Suzuki;T.Kitamura;M.Miyao
