Tight-Binding Model
Tight-Binding Model
复制标题
紧束缚模型
DOI：
10.1007/978-3-030-25715-6_2
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S. Magorrian
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Magorrian
在本章中，我们在紧束缚模型的背景下描述了单层和少层 InSe 的电子和光学性质。我们发现从块体（带隙 1.3 eV）到单层（带隙 2.8 eV）情况时带隙发生显着变化，与实验一致。我们发现主要的带间光学跃迁主要具有面外偏振特征，随着较厚晶体的振荡器强度增加，而次低能量跃迁与面内偏振光强烈耦合，其振荡器强度在很大程度上与层数无关。
In this chapter, we present a description of the electronic and optical properties of mono- and few-layer InSe in the context of a tight-binding model. We find a marked change in the band gap on going from the bulk (band gap1.3 eV) to the monolayer (band gap2.8 eV) case, in agreement with experiment. We find that the principal interband optical transition is of a dominantly out-of-plane polarised character, with the oscillator strength increasing for thicker crystals, while the next-lowest energy transition couples strongly to in-plane polarised light, with an oscillator strength which is largely independent of the number of layers.
影响因子：
38.3
作者：
Bandurin, Denis A.;Tyurnina, Anastasia V.;Cao, Yang
通讯作者：
Cao, Yang