Reactive Plasma Processes for Low-Temperature Formation of High-Mobility IGZO Thin-Film Transistors
Reactive Plasma Processes for Low-Temperature Formation of High-Mobility IGZO Thin-Film Transistors
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用于低温形成高迁移率 IGZO 薄膜晶体管的反应等离子体工艺
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Akinori Ebe
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yuichi Setsuhara;Kosuke Takenaka;Hiroyuki Hirayama;Giichiro Uchida;Akinori Ebe
