Coupling characteristics of thin‐film metal‐oxide‐metal diodes at 10.6 μ
Coupling characteristics of thin‐film metal‐oxide‐metal diodes at 10.6 μ
复制标题
10.6μ薄膜金属-氧化物-金属二极管的耦合特性
DOI：
10.1063/1.88541
复制
发表时间：
1975
影响因子：
4
通讯作者：
T. Gustafson
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Shyh Wang;T. Izawa;T. Gustafson
在直接检测实验中，已经证明了10.6 μm辐射在高电阻光刻制造的金属-氧化物-金属隧道结中的相干耦合。
Coherent coupling of 10.6‐μm radiation into high‐resistance photolithographically fabricated metal‐oxide‐metal tunnel junctions has been demonstrated in direct detection experiments.